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IRFZ44ELPBF中文资料

IRFZ44ELPBF图片

IRFZ44ELPBF外观图

  • 大小：230.61KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET㈢ Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：70 ns
  • 典型接通延迟时间：12 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：60 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1360 pF V @ 25
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：4.69mm
  • 封装类型：TO-262
  • 尺寸：10.54 x 4.69 x 10.54mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：110 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：0.023
  • 最大连续漏极电流：48 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.54mm
  • 高度：10.54mm

IRFZ44ELPBF供应商

更新时间:2023-01-17 08:25:14
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